一种具有高精度钳位电压二极管的达林顿晶体管制造技术

技术编号:41712891 阅读:22 留言:0更新日期:2024-06-19 12:41
本发明专利技术公开了一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,制作N型外延层,N型外延层置于衬底上;制作初始氧化层,初始氧化层置于N型外延层上;形成钳位图形;注入磷离子后退火,形成钳位二极管,并于钳位二极管上形成钳位氧化层;形成基区图形;注入硼离子后退火,形成基区,并于基区上方形成基区氧化层;其中,钳位二极管的结深深度大于基区的结深深度;光刻腐蚀形成发射区图形,通过发射区图形对基区进行磷离子掺杂,形成发射区。通过选择高电阻率和较厚的外延层,并通过调整磷离子注入钳位图形的浓度来加浓外延层,从而改变了钳位二极管的电压特性。使得钳位二极管的电压主要由基区对磷结深决定,而不是传统的BVCBO值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及达林顿晶体管,尤其涉及一种具有高精度钳位电压二极管的达林顿晶体管


技术介绍

1、达林顿晶体管常被用作高电流的开关或放大器。在开关模式下,输入信号通过控制第一个晶体管的导通和截止来控制输出电流的通断。而在放大模式下,它可以将微弱的输入信号放大到较高的电平,以便能够驱动更高功率的负载。因达林顿管有这种特性其经常用于点火器,由于点火器电路中存在电感,当电流突然中断时,电感会产生反向电动势(也称为浪涌电压),这可能对达林顿晶体管造成损坏。

2、为了保护达林顿管,可增设钳位二极管防止反向时电感的浪涌电流。目前钳位二极管基本上是基区对集电区耐压,其耐压受制于集电极的外延电阻率和厚度。


技术实现思路

1、鉴于上述问题,本申请提供一种具有高精度钳位电压二极管的达林顿晶体管,防止反向时电感的浪涌电流,同时避免达林顿晶体管损坏。

2、为实现上述目的,本申请提供了一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,包括步骤:

3、制作n型外延层,所述n型外延层置于衬底上;</p>

4、制作本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,在通过发射区图形对所述基区进行磷离子掺杂步骤后,还包括步骤:

3.根据权利要求2所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包括步骤:

4.根据权利要求3所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包括步骤:

5.根据权利要求1所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包括步骤:

6.根据权利要求1所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包...

【技术特征摘要】

1.一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,在通过发射区图形对所述基区进行磷离子掺杂步骤后,还包括步骤:

3.根据权利要求2所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包括步骤:

4.根据权利要求3所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包括步骤:

5.根据权利要求1所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包括步骤:

6.根据权利要求1所述一种基于钳位电压二极管的达林顿晶体管,其特征在于,还包括:于所述衬底远离所述n型外延层一侧蒸镀集电极。

【专利技术属性】
技术研发人员:马华明梅海军熊爱华
申请(专利权)人:福建福顺微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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