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本技术实施例涉及一种半导体装置。根据本技术的一些实施例，一种装置包含串联电连接的第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者包含：第一栅极结构；第一漏极/源极区，其在所述第一栅极结构的一侧上；及第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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