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一种垂直双扩散ＭＯＳ晶体管测试结构，属于半导体技术领域，包括半导体衬底、外延层、源掺杂区、漏掺杂区、沟道区、夹层电介质层，覆盖在半导体衬底上表面用于引出源电极和漏电极的金属层以及覆盖半导体衬底底面的背金属层。其中，位于源掺杂区和漏掺杂区下方...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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