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方法包括：形成包括交替设置的伪层和半导体层的多层堆叠件；以及在多层堆叠件的侧壁和顶面上形成多个伪栅极堆叠件。多个伪栅极堆叠件中的两个彼此紧邻，并且在它们之间具有间隔。在多层堆叠件中形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，第二源极/漏极区...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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