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提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开实施例的半导体结构包括：半导体主体的沟道区域，升高至隔离部件之上；栅极结构，包裹在沟道区域上方；源极/漏极部件，与沟道区域的侧壁接触；背侧硅化物层，设置在源极/漏极部件的底面上；以及背侧接触部件，延伸...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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