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本发明公开了一种应用于3D IC的正/背面套刻集成方法，包括步骤：外延衬底准备(top‑Si/SiGe‑牺牲层on Si基底)；正面“贯穿式形态”套刻标记制备；芯片正面器件/结构制备：在硅衬底所外延的top‑Si层顶部，以“贯穿式形态”套刻...
该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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