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本发明涉及一种电子开关器件，特别涉及隧道结，其包含有机分子层，其用于存储器、传感器、场效应晶体管或约瑟夫森结。更特别地，本发明包括在随机存取非易失性忆阻存储器(RRAM)的领域中。本发明的另一个方面涉及用于所述分子层的式I的化合物，式I中出...
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