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本发明中首次将新型热敏材料锰钴镍氧应用于忆阻器件的阻变层中，制作了三明治结构+蓝宝石基底的RRAM器件。锰钴镍氧材料，是一种以Mn、Co、Ni过渡族金属为主的尖晶石结构材料，它具有电阻随温度上升而逐渐下降(即负温度系数)的材料特性，同时材料...
该专利属于材料科学姑苏实验室所有，仅供学习研究参考，未经过材料科学姑苏实验室授权不得商用。

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