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本公开提供了一种三维半导体器件和三维半导体器件的制备方法。三维半导体器件包括用于容纳第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的第一晶体管层，用于容纳第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管的第二晶体管层，第一互连层和第二互连层。...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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