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提供了一种集成电路装置，其包括基底和栅极结构，基底包括限定有源区域的元件隔离膜，栅极结构掩埋在基底的有源区域中。栅极结构包括栅极沟槽、沿着栅极沟槽的内壁共形的外绝缘层、在外绝缘层上共形的沟道结构层、在沟道结构层上共形的栅极绝缘层、填充栅极沟...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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