【技术实现步骤摘要】
专利技术构思的一些示例实施例涉及集成电路装置和/或其制造方法，包括含有掩埋的字线的集成电路装置和/或其制造方法。
技术介绍
1、最近，随着集成电路装置的集成度已经逐渐增加，已经提出了具有其中多条字线掩埋在基底中的掩埋沟道阵列晶体管(bcat)的集成电路装置的结构。因此，正进行各种研究以改善和稳定bcat的操作和可靠性。尤其，随着集成电路装置的设计规则迅速减小，掩埋字线的线宽也迅速减小。
技术实现思路
1、专利技术构思的一些示例实施例提供了通过在每条掩埋字线上形成由半导体材料制成的独立沟道结构层而具有高集成度和高可靠性的集成电路装置。
2、专利技术构思的一些示例实施例提供了制造通过在每条掩埋字线上形成由半导体材料制成的独立沟道结构层而具有高集成度和高可靠性的集成电路装置的方法。
3、专利技术构思的示例实施例所要解决的示例问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他问题。
4、根据专利技术构思的一些示例实施例，一种集成电路装置包...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述沟道结构层包括多晶硅、晶体硅、晶体铟镓锌氧化物和非晶铟镓锌氧化物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述沟道结构层的上区域被高度掺杂并且被构造为用作源极/漏极区域，
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，接触绝缘层在所述接触插塞与所述基底之间。
6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其中，所述接触绝缘层连续地连接到所述外绝缘
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【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述沟道结构层包括多晶硅、晶体硅、晶体铟镓锌氧化物和非晶铟镓锌氧化物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述沟道结构层的上区域被高度掺杂并且被构造为用作源极/漏极区域，
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，接触绝缘层在所述接触插塞与所述基底之间。
6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其中，所述接触绝缘层连续地连接到所述外绝缘层。
7.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，所述接触插塞的侧壁与所述栅极绝缘层的侧壁间隔开。
8.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，所述接触插塞的侧壁与所述栅极绝缘层的侧壁接触。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述沟道结构层通过所述外绝缘层与所述基底隔离。
10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，所述沟道...
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