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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善ＳＯＩ电路ＥＳＤ防护网络用的电阻结构。该结构通过利用硅化物的导体特性，克服了半导体载流子导电电阻结构在高温时由于本征电离效应出现的电阻负温度特性问题，使得电阻在很大范围的ＥＳＤ过程中不仅不会出现阻值变...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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