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本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种半导体器件辐照检测方法及装置，方法包括：获取待测半导体器件；将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度，检测待测半导体器件在各辐照目标温度下接受辐照后的第一电学参数；在每次检测第一电学参数后，将待测半...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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