【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，具体涉及一种半导体器件辐照检测方法及装置。
技术介绍
1、随着航天任务的日益复杂，航天器的高可靠、长寿命运行成为领域内备受关注的问题。在复杂的空间环境中，航天电子系统中的半导体器件必须经受空间极端环境的严苛考验，在远比地面工作环境恶劣的条件下保持正常运行。一方面，空间及星球表面通常具有极端的温度环境，主要包括：极端低温环境，例如月球极地陨石坑最低温度达-230℃；大范围的高低温变化，例如月表的昼夜温度变化范围为-180℃～120℃，火星表面则为-125℃～25℃。而一般商用器件的工作温度范围在0℃～85℃之间，军用器件则扩展至-55℃～125℃，远不能满足航天电子系统对极端温度环境半导体器件的迫切需求。另一方面，宇航用半导体器件还将面临各类空间辐射效应的风险。空间辐射粒子入射半导体器件后，通过非电离和电离过程沉积能量，从而引发一系列辐射效应，造成器件性能退化甚至功能失效。有研究表明，由辐射效应引起的卫星在轨故障占比可达34％。
2、在不采用特殊的屏蔽保温装置的情况下，极端的温度和空间辐射将同时作用于电子...
【技术保护点】
1.一种半导体器件辐照检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，获取待测半导体器件之后，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，调节所述待测半导体的温度，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，检测所述待测半导体器件在各所述辐照目标温度下接受辐照后的第一电学参数之前，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，检测所述待测半导体器件在所述第一测试温度下的第二电学参数之后，还包括：p>
6.一种半...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件辐照检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，获取待测半导体器件之后，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，调节所述待测半导体的温度，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，检测所述待测半导体器件在各所述辐照目标温度下接受辐照后的第一电学参数之前，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件辐照检测方法，其特征在于，检测所述待测半导体器件在所述第一测试温度下的第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏佳男，张培健，蒲阳，仵韵辰，张小磊，石艳斌，傅婧，洪敏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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