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一种半导体器件包括：栅电极，设置在衬底的单元区域内；位线结构对，每个位线结构对包括第一位线结构和第二位线结构；以及延伸部分对，设置在衬底的接口区域内，每个延伸部分对包括分别连接到第一位线结构和第二位线结构的第一延伸部分和第二延伸部分。位线结...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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