【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种具有位线的半导体器件。
技术介绍
1、随着对半导体器件的高性能、高速和/或多功能化的需求增加，半导体器件的集成度正在增加。在制造具有针对半导体器件的高集成度的精细图案的半导体器件时，期望实现具有精细宽度或精细分离距离的图案。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有位线和与位线连接的延伸部分的半导体器件。
2、根据示例实施例，一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和接口区域；栅电极，设置在衬底的单元区域内，并且在平行于衬底的上表面的第一水平方向上延伸；多个位线结构对，与栅电极交叉，并且在平行于衬底的上表面且与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸，每个位线结构对包括在第一水平方向上彼此间隔开的第一位线结构和第二位线结构；以及多个延伸部分对，设置在接口区域内，并且在第一水平方向上彼此间隔开，每个延伸部分对包括分别连接到对应位线结构对的第一位线结构以及该对应位线结构对的第二位线结构的第一延伸部分和第二延伸部分。多个位线结构对以第一距离彼此间隔开。在每个位线结构...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求2所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：
12.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求2所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.根据权利要求9...
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