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本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在物理汽相沉积(PVD)系统的腔室中引入靶体。该方法包括基于第一补偿函数在衬底上沉积膜的第一部分，第一补偿函数的第一值根据靶体的寿命来确定。该方法包括基于第二补偿函数在膜的第一部分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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