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一种阱等离子体诱导损伤保护电路，包括衬底、衬底上并包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的p阱区、衬底上且包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的n阱区、保护金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极/源极区，以及至少一个控制电路。第一导电连接件将...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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