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本发明公开了一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，具体包括如下步骤：步骤一、在衬底上生长InP缓冲层，在其上生长InGaAsP四元合金有源层结构，在其上生长InP间隔层，再在其上生长光栅层InGaAsP材料；步骤二、用光刻胶做为掩...
该专利属于南京镭芯光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京镭芯光电有限公司授权不得商用。

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