【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于掩埋异质结激光器，尤其涉及一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法。
技术介绍
1、在现有技术中，掩埋异质结激光器的制备过程为，在衬底上外延生长有源层(多量子阱结构)和光栅层；然后使用光刻胶做掩膜曝光显影，对光栅层进行刻蚀获得固定深度和周期的光栅结构，去除光刻胶后再进行外延生长形成光栅盖层+腐蚀引导层；而后再使用sio2做掩膜进行mesa刻蚀（即发光区平台刻蚀），再生长阻挡层；而后再对表面存在的sio2和早期生长的腐蚀引导层进行有效去除后，进行包层生长，获得掩埋异质结激光器的完整外延结构。
2、其中阻挡层生长是掩埋异质结激光器的制备关键技术之一，目前常用的阻挡层生长结构为反向pn结阻挡层，其特点既是在正向pn结器件中，插入反向pn结做为电路阻挡层，将电流限制在波导范围内，提高电流利用率及光电转换效率。在生长反向pn结前的常规方式sio2/sinx掩膜，1、通过纯湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀形成台面结构，2、使用mocvd进行n/p结构inp的外延生长，3、去除sio2/sinx掩膜，使用mocvd进行p型...
【技术保护点】
1.一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于,具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于：所述InGaAsP四元合金有源层的结构为：SCH-InGaAsP、QW-InGaAsP、QB-InGaAsP和SCH-InGaAsP多层结构。
3.根据权利要求1所述的一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于：步骤四中卤素气体包括有氟气F2，溴气Br2和氯气Cl2。
4.根据权利要求2所述的一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于：...
【技术特征摘要】
1.一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于,具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于：所述ingaasp四元合金有源层的结构为：sch-ingaasp、qw-ingaasp、qb-ingaasp和sch-ingaasp多层结构。
3.根据权利要求1所述的一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于：步骤四中卤素气体包括有氟气f2，溴气br2和氯气cl2。
...【专利技术属性】
技术研发人员：杨皓宇，罗文欣，
申请(专利权)人：南京镭芯光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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