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本公开提供一种集成电路器件。在一些实施例中，转移栅电极在表面以下。在一些实施例中，转移栅电极的顶部几乎与浮接扩散区的底部齐平或低于浮接扩散区的底部。在一些实施例中，转移栅电极部分环绕浮接扩散区的范围。在一些实施例中，转移栅电极完全围绕浮接扩...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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