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用于外延沉积反应器的动态及局部温度控制制造技术
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下载用于外延沉积反应器的动态及局部温度控制的技术资料
文档序号:41500546
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一种用于改善半导体基板上膜生长均匀性的方法及设备。当基板旋转时,通过调整由点加热器提供给基板的功率量来提高膜生长的均匀性。因此,由点加热器提供给基板的功率量随着基板的被点加热器加热的部分的变化而变化。由点加热器提供的功率变化取决于由控制器施...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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