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本发明公开了一种高耐压超结终端结构,包括衬底,所述衬底上依次设置有N型缓冲层、N型漂移区、氧化层和介质层,所述N型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区;所述第一终端类型区的顶部形成有JTE区,所述第二终端类型区...该专利属于重庆万国半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过重庆万国半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高耐压超结终端结构,包括衬底,所述衬底上依次设置有N型缓冲层、N型漂移区、氧化层和介质层,所述N型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区;所述第一终端类型区的顶部形成有JTE区,所述第二终端类型区...