重庆万国半导体科技有限公司专利技术

重庆万国半导体科技有限公司共有34项专利

  • 本技术涉及风机领域,公开了一种水冷散热式风罩及风机,包括内部中空且两端贯通的罩体以及安装在罩体内的散热部,所述散热部包括安装在罩体内的用于连通罩体两端的连通部以及设置在连通部内的用于与外部冷却水连接的循环换热部,以对经过所述连通部的气体...
  • 本技术涉及半导体器件制造领域,公开了一种套刻标记结构及光罩,包括第一套刻标记图形和第二套刻标记图形,所述第一套刻标记图形包括四组子套刻标记,所述第二套刻标记图形包括四组套刻标记,所述第二套刻标记图形的投影面积位于所述第一套刻标记图形的投...
  • 本技术涉及半导体领域,公开了一种外延设备,包括通过在装载室内设置防尘部,以能够在支架行放置慢晶体时对位于最上方的晶体上方进行遮挡,避免最上方晶体的顶面裸露而散落大量灰尘,从而有效降低最上方晶体的灰尘量,提升晶体品质。通过在装载室内设置防...
  • 本技术公开了一种排水弯头及过滤排水装置,所述排水弯头包括沿垂直方向分布的进水管段、沿水平方向分布的出水管段以及连接于所述进水管段和出水管段之间的连接管段,所述连接管段上设置过滤孔,所述过滤孔的高度与所述出水管段的高度相适配。通过设置的排...
  • 本技术涉及外延炉辅助装置领域,公开了一种石墨下环及石墨环,包括下环本体,所述下环本体上沿一轴向开设有一第一定位孔,所述下环本体上沿第一定位孔的圆周方向设置有一下扣部,所述下扣部和下环本体均由石墨制成并围合形成有一第一L形空间,所述第一L...
  • 本技术公开了一种基于沟道耗尽浅P阱的快关断SJ‑I GBT器件,包括外延层,所述外延层中周期性排布有P柱和N柱,所述N柱的上方设置有P型基区,所述P柱包括第一P柱和第二P柱,所述第一P柱的上端通过浅P阱与P型基区连接,所述浅P阱的上方设...
  • 本技术公开了一种高耐压超结终端结构,包括衬底,所述衬底上依次设置有外延层、氧化层和介质层,所述N型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区;所述第一终端类型区的顶部形成有JTE区,所述第二终端类型区的顶部形成有...
  • 本技术公开了一种沟槽元胞结构及MOSFET、IGBT功率半导体器件,沟槽元胞结构包括硅衬底,所述硅衬底的背面设置有背面金属层;所述硅衬底的正面从下至上依次设置有漂移区、体区、介质层和正面金属层;所述体区间隔设置有深沟槽区和浅沟槽区,所述...
  • 本发明公开了一种自定义有源区沟槽的分离栅功率器件的制造方法,包括:在硅衬底上制备外延层和氧化硅薄膜,并根据沟槽图形刻蚀出沟槽的上半部;在栅极沟槽图形对应的区域淀积氮化硅保护膜,并向下刻蚀出沟槽的下半部形成源极沟槽;在源极沟槽形成耐压氧化...
  • 本技术涉及检测装置领域并公开了一种研磨轮齿检测装置,包括用于设置在研磨轮正下方处的光学检测部,所述光学检测部的检测端朝向所述研磨轮布置,在所述光学检测部上安装有用于朝向研磨轮一侧照明的照明部。上述研磨轮齿检测装置通过光学检测部和照明部的...
  • 本发明涉及半导体器件制造领域,公开了一种套刻标记结构、光罩、套刻标记方法及套刻偏移检测方法,包括第一套刻标记图形和第二套刻标记图形,所述第一套刻标记图形包括四组子套刻标记,所述第二套刻标记图形包括四组套刻标记,所述第二套刻标记图形的投影...
  • 本发明公开了一种提高电场分布均匀程度的沟槽器件终端结构及其制作方法,终端结构包括在外延层上的多个终端沟槽环和多个常规沟槽,常规沟槽的两端通过第一窄沟槽与内终端环的第一终端沟槽连接,第二终端沟槽的两端通过第二窄沟槽与第一终端沟槽连接,第一...
  • 本发明公开了一种基于受控空穴抽取结构的超结I GBT器件及其制作方法,超结I GBT器件包括在外延层中周期性排布的P柱和N柱,所述N柱的上方设置有P型基区,所述P型基区包括以矩形阵列的形式排布的第一P型基区,所述P柱包括第一P柱和第二P...
  • 本发明公开了一种高耐压超结终端结构,包括衬底,所述衬底上依次设置有N型缓冲层、N型漂移区、氧化层和介质层,所述N型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区;所述第一终端类型区的顶部形成有JTE区,所述第二终端类...
  • 本发明涉及外延炉辅助装置领域,公开了一种石墨下环及石墨环,包括下环本体,所述下环本体上沿一轴向开设有一第一定位孔,所述下环本体上沿第一定位孔的圆周方向设置有一下扣部,所述下扣部和下环本体均由石墨制成并围合形成有一第一L形空间,所述第一L...
  • 本发明公开了一种具有肖特基势垒的高可靠性的沟槽元胞结构及其制作方法,所述沟槽元胞结构包括硅衬底,所述硅衬底的背面设置有背面金属层;所述硅衬底的正面从下至上依次设置有漂移区、体区、介质层和正面金属层,所述硅衬底为重掺杂,所述漂移区为轻掺杂...
  • 本实用新型公开了一种改善镀层分层的引线框架及半导体器件,包括管芯焊盘、安装在管芯焊盘上的半导体芯片、设置在管芯焊盘的第一侧的第一引脚和第二引脚、设置在管芯焊盘的第二侧的第三引脚、连接半导体芯片与第一引脚、第二引脚和第三引脚的电连接结构以...
  • 本发明公开了一种抗冲击超级结器件及其制备方法,涉及提高超级结器件抗冲击能力布局技术领域,超级结器件包括衬底、第一外延层、第二外延层、耐压层、栅极氧化层、栅极、层间介质、金属通孔、电路链接层、钝化层,其中至少一层耐压层包括第二极性柱状区域...
  • 本发明提供了一种半导体器件组及其制备方法与应用,涉及半导体配件制造技术领域;半导体器件组包括金属框架、半导体器件单元、载片台,半导体器件单元包括芯片、引脚、连接件;半导体器件单元两两一对,沿金属框架长度方向或宽度方向依次排列,沿半导体器...
  • 本实用新型提供了一种金属夹扣组及半导体器件组及其制备方法与应用,涉及半导体配件制造技术领域;金属夹扣组包括若干金属夹扣单元,金属夹扣单元包括连接件、引脚、至少一组空间定位槽,通过集成的若干金属夹扣单元共享空间定位槽,将金属夹扣组的空间结...