高耐压超结终端结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高耐压超结终端结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型缓冲层、N型漂移区、氧化层和介质层，所述N型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区；所述第一终端类型区的顶部形成有JTE区，所述第二终端类型区的顶部形成有N掺杂结构，所述N掺杂结构与JTE区连接，所述N掺杂结构连接有第三P柱。本发明专利技术中，通过设置N掺杂结构和第三P柱可以降低JTE区末端的电场峰值，使器件可靠性更高；同时还能提升JTE区末端的电场谷值，使器件耐压得到提升；还可以将截止环位置向前移动，进而缩小终端区面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超结终端领域，特别是涉及一种高耐压超结终端结构。

技术介绍

1、为了更有效的提高击穿电压，现有技术中在垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(vdmos，vertical double-diffused mosfet)器件的结构基础上，提出了一种称为超级结的vdmos器件，以得到一个高耐压低导通电阻的器件，从而被广泛应用于消费、工业以及汽车等领域的电子电路中。在实际应用中，对于超结vdmos，当器件的耐压或者可靠性能未达到要求时往往会造成器件的失效，最终导致电路或电器的损毁。因此，在超结领域，耐压以及器件的可靠性已成为主要的关注点。由于超结器件的特殊结构，理论上其终端耐压低于元胞耐压，因此器件的击穿点会出现在终端区。因此，解决超结器件的耐压以及可靠性问题则主要需解决超结终端处耐压以及可靠性问题。

2、图1和图2分别为现有的两种主流超结终端，其中，图1的超结类型终端结构具有两大主要缺点：一是第四p柱651形成的p截止环与jte区621的距离较远；二是器件场强分布不合理，jte区621的末端会出现击穿弱点。图2的超结类型终端具有三大主要缺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高耐压超结终端结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底上依次设置有N型缓冲层、N型漂移区、氧化层和介质层，所述N型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区；

2.如权利要求1所述的高耐压超结终端结构，其特征在于：所述过渡区的上方对应源极金属的位置处开设有穿过介质层和氧化层并露出第一P掺杂区的第一接触孔，所述源极金属的下端伸入第一接触孔中并与第一P掺杂区连接；所述第一终端类型区的上方对应栅极金属的位置处开设有穿过介质层并露出多晶硅层的第二接触孔，所述栅极金属的下端伸入第二接触孔中并与多晶硅层连接；所述第一终端类型区的上方对应第一浮空金属场板的位置处...

【技术特征摘要】

1.一种高耐压超结终端结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底上依次设置有n型缓冲层、n型漂移区、氧化层和介质层，所述n型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区；

2.如权利要求1所述的高耐压超结终端结构，其特征在于：所述过渡区的上方对应源极金属的位置处开设有穿过介质层和氧化层并露出第一p掺杂区的第一接触孔，所述源极金属的下端伸入第一接触孔中并与第一p掺杂区连接；所述第一终端类型区的上方对应栅极金属的位置处开设有穿过介质层并露出多晶硅层的第二接触孔，所述栅极金属的下端伸入第二接触孔中并与多晶硅层连接；所述第一终端类型区的上方对应第一浮空金属场板的位置处开设有穿过介质层和氧化层并露出第三p掺杂区的第三接触孔，所述第一浮空金属场板的下端伸入第三接触孔中并与第三p掺杂区连接；所述第二终端类型区的上方对应第二浮空金属场板的位置处开设有穿过介质层和氧化层并露出n掺杂结构的第四接触孔，所述第二浮空金属场板的下端伸入第四接触孔中并与n掺杂结构连接。

3.如权利要求1所述的高耐压超结终端结构，其特征在于：所述第二p掺杂区的掺杂浓度大于jte区的掺杂浓度，所述第三p掺杂区的掺杂浓度大于第二p掺杂区的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的高耐压超结终端结构，其特征在于：临近所述第一终端类型区的第三p柱的外侧面与第一终端类型区和第二终端类型区的分界面对齐。

5.如权利要求1～4任一项所述的高耐压超结...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐义洲，
申请(专利权)人：重庆万国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：