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本公开实施例涉及一种半导体结构，包括：重分布层；位于重分布层顶面的键合焊盘以及测试焊盘，键合焊盘与测试焊盘间隔排布；标记结构，至少部分标记结构位于重分布层内，且标记结构的顶面不低于重分布层的顶面，标记结构位于键合焊盘与测试焊盘之间。本公开实...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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