【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、芯片制作流程中，在晶圆制造步骤以及封装步骤之间，需要对晶圆进行晶圆(chipprobe,cp)测试，以保证晶圆上的每一个裸片都能基本满足器件的特征或者设计规格书，及早挑选出不符合的裸片以保证晶圆的良率。在进行cp测试时，首先会形成测试焊盘，通过探针对测试焊盘进行探测，进而完成测试。
2、探针在对测试焊盘进行探测之间，需要对测试焊盘的位置进行定位。然而，随着集成电路集成度的增加，测试焊盘的密集度越来越大，且测试焊盘与其它元件之间的间距越来越小，使得探针对测试焊盘的定位准确度较低，进而使得cp测试可靠性较低的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构，至少有利于提高对测试焊盘进行测试时，对测试焊盘进行定位的准确性。
2、本公开实施例提供一种半导体结构，包括：重分布层；位于所述重分布层顶面的键合焊盘以及测试焊盘，所述键合焊盘与所述测试焊盘间隔排布；标记结构，至少部分所述标记结构位于所述重分布层内...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述标记结构的底面位于所述重分布层内，所述标记结构在所述重分布层的深度与所述重分布层的厚度之比为0.6～0.8。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述标记结构在所述重分布层中的深度为4μm～5μm。
4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述标记结构在平行于所述重分布层顶面方向上的截面形状为矩形。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述键合焊盘指向所述测试焊盘的方向上，所述标记结构的宽度...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述标记结构的底面位于所述重分布层内，所述标记结构在所述重分布层的深度与所述重分布层的厚度之比为0.6～0.8。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述标记结构在所述重分布层中的深度为4μm～5μm。
4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述标记结构在平行于所述重分布层顶面方向上的截面形状为矩形。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述键合焊盘指向所述测试焊盘的方向上，所述标记结构的宽度与所述测试焊盘或者所述键合焊盘中任一者的宽度之比为1:10～1:15。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述键合焊盘指向所述测试焊盘的方向上，所述标记结构的宽度为3μm～5μm。
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在沿第一方向上，所述标记结构的长度与所述键合焊盘或者所述测试焊盘中任一者的长度之比为0.6～0.8，所述第一方向平行于所述重分布层顶面，且垂直于所述键合焊盘与所述测试焊盘的排布方向。
8.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述键合焊盘与所述测试焊盘在所述重分布层表面的正投影形状为矩形。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述标记结构在第一方向上的侧边与所述键合焊盘在所述第一方向上的侧边齐平，且所述标记结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：章艳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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