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本发明公开了一种液封直拉生长大直径锑化镓单晶的方法，包括：液封剂脱水；多晶料的清洗；多晶料与液封剂的装炉；洗气与熔化原料；引晶与放肩；晶体等径生长；晶体收尾与退火冷却。本发明专利中通过采用锑化镓多晶作为长晶原料、加液封剂和通入还原气体的方法...
该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司授权不得商用。

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