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本发明提供一种Sn‑Ag‑Cu钎料凸点互连芯片及其制备方法和应用，该方法包括在第一键合片的第一铜柱结构上依次沉积纳米孪晶Ni层和择优取向纳米孪晶Cu层；在择优取向纳米孪晶Cu层表面沉积Sn‑Ag钎料凸点；对完成上述步骤的第一键合片进行一次加...
该专利属于珠海天成先进半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海天成先进半导体科技有限公司授权不得商用。

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