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一种使用通过使用位线读出放大器的全ＶＤＤ位线预充电方案的半导体存储器件，包括：预充电单元，用于将位线和互补位线从电源电压预充电至一电压，该电压比电源电压小预定电压；和所述读出放大器，包括串联连接在所述位线和所述互补位线之间以便彼此交叉耦合的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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