温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：在具有比第二弹性模量高的第一弹性模量的第一基板之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成具有第一接合表面的所述第一半导体元...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。