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本发明公开了一种原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，包括：制备层状多孔AC/SiO<subgt;2</subgt;预制体，再在层状多孔AC/SiO<subgt;2</subgt;预制体的孔隙内原位生长出均匀...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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