一种原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法技术

本发明专利技术公开了一种原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，包括：制备层状多孔AC/SiO<subgt;2</subgt;预制体，再在层状多孔AC/SiO<subgt;2</subgt;预制体的孔隙内原位生长出均匀分布的Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;纳米线，得到原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷，该方法能够有效解决Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;纳米线的团聚问题，实现Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;纳米线在基体中的均匀分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一维纳米材料制备，涉及一种原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法。

技术介绍

1、氮化硅(si3n4)纳米线兼具优异的力学、透波以及抗热震等性能，它耐高温、抗氧化，可作为增强材料用于如导弹的天线罩、飞机和汽车的发动机等部位与严苛环境，满足“轻质高强”的要求；同时，si3n4是一种化学稳定性极好的宽能带间隙的半导体材料，可应用于电子及光学纳米器件上。

2、由于si3n4纳米线具有极广的应用领域与极大的应用潜力，关于它的研究日益增多，其制备方法也不断得以丰富，目前常见的有碳热还原法、化学气相沉积法、碳纳米管模板法、溶剂热法、先驱体热解法等，如专利“一种高纯α相氮化硅纳米线的制备方法”(授权公告号：cn 112607715b)以碳纳米管为前驱体、硅/二氧化硅(si/sio2)混合粉末为硅源，在1200℃～1800℃下烧结得到α相si3n4纳米线。文献“c.guo,f.ye,l.cheng,in situ growthof single crystal si3n4 nanowire foam with good wave-trans本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，所述制备层状多孔AC/SiO2预制体的过程为：

3.根据权利要求2所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，所述AC与SiO2粉末的质量比为1:10～10:1。

4.根据权利要求2所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，去离子水的体积为AC与SiO2总体积的1～5倍。

5.根据权利要求2所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，所述制备层状多孔ac/sio2预制体的过程为：

3.根据权利要求2所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，所述ac与sio2粉末的质量比为1:10～10:1。

4.根据权利要求2所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，去离子水的体积为ac与sio2总体积的1～5倍。

5.根据权利要求2所述的原位制备均匀分布的氮化硅纳米线增强陶瓷的方法，其特征在于，层状多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贺军，焦亚朦，宋强，杨旭，赵斐，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：