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本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给至少两种反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置包括：旋转台；上述旋转台上的基板载置部；相互分离地设置，在上述旋转台上分别将第１、第２反应气体供给到第１、第２处理区域的第１、第２反...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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