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本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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