半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法技术

本发明专利技术提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件检测，特别是涉及半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法。

技术介绍

1、gan（氮化镓）高电子迁移率晶体管( hemts )因其能够承受高电场和高电流密度的优异性能而在功率开关领域被广泛应用。常关型器件应电力电子系统失效安全工作和简化栅极驱动拓扑的需求而生，其中肖特基型p-gan hemts（p型氮化镓高电子迁移率晶体管）是目前主流的商业常关型器件。肖特基型p-gan hemts器件具有一种肖特基金属/p-gan（p型掺杂氮化镓）/algan（铝镓氮）/gan的异质结栅极结构，是一种金属/ p-gan ( ms )结和p-gan / algan / gan ( pin )结串联的双结结构。

2、然而，对肖特基型p-gan hemts栅极施加正向驱动电压时，栅极异质结内部电压分布不均匀，双结分压难以测定。电势浮动的栅极是影响氮化镓器件稳定运行的关键因素，其会导致载流子诱导的不稳定问题，如阈值电压( vth)漂移和栅极失效等。因此，开发一种可行的方法来测定计算p-gan hemts器件栅极异质结内部分压对器件的可本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、沟道层、势垒层、p-GaN层和p+-GaN层、第一栅极金属和第二栅极金属；

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

4.如权利要求3所述的半导体器件制备方法，其特征在于，

5.如权利要求4所述的半导体器件制备方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的半导体器件制备方法，其特征在于，

7.一种栅极异质结上分压标定测算方法，其特征在于，所述方法包括：

8.如权利要求7所述的栅极异质结上分压标定测算方...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、沟道层、势垒层、p-gan层和p+-gan层、第一栅极金属和第二栅极金属；

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

4.如权利要求3所述的半导体器件制备方法，其特征在于，

5.如权利要求4所述的半导体器件制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐曦，尹玉莲，刘晓宇，汪欢，曹文平，胡存刚，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：