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一种半导体装置，包括：一沟道区；一栅介电层，位于该沟道区之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；一第一源极／漏极区，邻近该栅介电层，其中该第一源极／漏极区具有一第一导电性，而至少该沟道区与该第一源极／漏极区之一包括一超晶格结构；以及一第二源极／...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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