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一种半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底、位于衬底的第一区域上的第一栅极结构、位于衬底的与第一栅极结构相邻的部分上的第一源极/漏极层、位于衬底的第二区域上的第二栅极结构、位于衬底的与第二栅极结构相邻的部分上的第二源极/漏极层、第一接...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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