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本发明提供一种半导体元件及其制法，其中此元件包括一半导体基材，一晶体管形成于基材之中，晶体管具有一高介电常数介电层形成于基材之上，从高介电常数介电层的一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第一长度，以及一金属栅极层形成于高介电常数介电层之上，且从金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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