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本发明提供一半导体装置及其制造方法，该装置包含一半导体基材及一形成于该基材中的晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属栅极的栅极堆叠，一密封层形成于该栅极堆叠的侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该栅极堆叠相接...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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