温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于MOSFET器件技术，特别涉及一种单埋藏栅功率MOSFET结构及其制备方法，结构包括n+衬底、n‑漂移区、多晶硅、氧化层、P‑body区、P+区、n+区，n‑漂移区设置在n+衬底上，在n‑漂移区顶部的一角切割出一个矩形区域用于设置...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。