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本发明公开了一种用于提供改进的功函数值和热稳定性的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的界面电介质层；位于界面电介质层之上的高ｋ值栅电介质层；以及位于高ｋ值栅电介质层之上的掺杂导电金属氧化物...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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