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本发明公开一种存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法，非挥发虚拟接地存储器阵列，其可储存两位信息于存储器半导体存储单元中，此非挥发虚拟接地存储器阵列具有一非导电的电荷捕捉介电质，例如氮化硅，其置于至少一电性绝缘层之上，例如是氧化物。存储器阵...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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