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公开了一种存储单元的阵列。所述存储单元包括熔丝和至少一个晶体管。晶体管用于控制熔丝的编程或读出。将编程电压应用到第一和第二导电层的堆。该堆的第一部分将编程电压耦合到单元中的晶体管的一端。该堆的第二部分将编程电压耦合到另一个单元中的晶体管的一...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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