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本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够减少使用氢化硅气体形成的含硅膜的含氢量。将基板载置于处理容器的内部的载置台，对所述处理容器的内部供给氢化硅气体和其它气体，在所述处理容器的内部使所述氢化硅气体解离来生成高密度等离子体，使用所述高密度等离...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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