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具备具有电荷累积层和控制栅极的存储单元的半导体装置及其数据写入方法制造方法及图纸
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下载具备具有电荷累积层和控制栅极的存储单元的半导体装置及其数据写入方法的技术资料
文档序号:4129912
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本发明涉及半导体装置及其数据写入方法。半导体装置具备非易失性半导体存储器(11)与控制器(12)。非易失性半导体存储器(11),具有具备可以保持2比特以上的数据的多个存储单元的第1存储块(BLK1)和具备可以保持1比特的数据的多个存储单元的...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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