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本公开提供了一种存储器装置及其形成方法。所述存储器装置为垂直三维交叉点存储器，具有多个存储单元形成在垂直的位线与水平的字线的交叉点。这些存储单元由二个层形成，能够实现比传统技术更高的密度。其中一个层可选地包含双向阈值开关材料，以允许信息储存...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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