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本发明公开了一种Bi<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;薄膜的制备方法，所述方法包括：在真空、高温及通入氢气下，将高纯铋源和高纯硒源等离子体化学气相沉积至洁净衬底上得到Bi<su...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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