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本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底；形成一金属化层在该基底上；形成一遮罩图案在该金属化上；形成一宽度控制结构在该遮罩图案的一侧表面上以界定一间隙以暴露该金属化层；移除该遮罩图案；以及图案化该金属化层以形成一字元线。...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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