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本发明的一些实施例涉及一种在衬底上沉积硅前体的方法。所述方法包含：获得包含至少一个硅氧烷键的硅前体材料和获得至少一种共反应物前体材料。使所述硅前体材料挥发以获得硅前体蒸气。使所述至少一种共反应物前体材料挥发以获得至少一种共反应物前体蒸气。使...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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